[发明专利]接近式曝光装置、曝光光形成方法、面板基板的制造方法无效

专利信息
申请号: 201310065375.1 申请日: 2013-02-07
公开(公告)号: CN103257530A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 手塚秀和;小竹英雄;薗边和幸;北村纯一 申请(专利权)人: 株式会社日立高科技
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02B27/09;H01L21/027
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 日本东京港区*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明是有关一种接近式曝光装置、接近式曝光装置的曝光光形成方法、及显示用面板基板的制造方法。以使从搭载在基底基板上的半导体发光元件群的中心至凹面镜的中心的距离、及从凹面镜的中心至复眼透镜的入射面的中心的距离等于凹面镜的焦距,且搭载在基底基板上的半导体发光元件群的中心位置与复眼透镜的入射面的中心位置夹着通过凹面镜的焦点的法线而对称的方式,配置基底基板及复眼透镜。以使从各半导体发光元件产生并通过对应的放大透镜放大且在凹面镜反射的光的光轴在不偏离复眼透镜的照射面的特定角度以内入射至复眼透镜的方式,配置多个半导体发光元件及多个放大透镜。
搜索关键词: 接近 曝光 装置 形成 方法 面板 制造
【主权项】:
一种接近式曝光装置,包括:多个半导体发光元件,产生形成曝光光的光;基底基板,搭载所述多个半导体发光元件;多个放大透镜,与各半导体发光元件对应而设置,将从各半导体发光元件产生的光放大;及复眼透镜;且使通过所述多个放大透镜放大的光在所述复眼透镜重合而形成曝光光;所述接近式曝光装置的特征在于包括:凹面镜,设置在从所述多个放大透镜至所述复眼透镜的光路内,所述凹面镜具有抛物面的镜面,使通过所述多个放大透镜放大的光反射并照射至所述复眼透镜;且所述基底基板构成为平坦状,将所述多个半导体发光元件搭载在同一平面上,所述基底基板与所述复眼透镜是:以使从搭载在所述基底基板的半导体发光元件群的中心至所述凹面镜的中心的距离、及从所述凹面镜的中心至所述复眼透镜的入射面的中心的距离等于所述凹面镜的焦距,且搭载在所述基底基板的半导体发光元件群的中心位置与所述复眼透镜的入射面的中心位置夹着通过所述凹面镜的焦点的法线而对称的方式而配置,所述多个半导体发光元件及所述多个放大透镜是:以使从各半导体发光元件产生并通过对应的放大透镜放大且在所述凹面镜反射的光的光轴,在不偏离所述复眼透镜的照射面的特定角度以内,入射至所述复眼透镜的方式而配置。
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