[发明专利]一种微纳米生产粉尘泄露源的同位素法定位检测方法

摘要

本发明提供一种微纳米生产粉尘泄露源的同位素法定位检测方法，主要包括同位素标记化合物与粉体表面活性剂的均匀混合，半成品粉体的表面改性，同位素标记改性后粉体的生产，生产过程中放射性粉尘的浓度检测，生产区域粉尘浓度的空间分布图绘制等环节。本发明的显著优点：可准确定位到各种复杂生产线粉尘的泄漏源位置；可对整个车间的粉尘浓度建立网络结构，为企业建立粉尘的重点控制区提供数据支持；由于粉尘并不完全随气体流动，基于粉尘放射性的检测比基于放射性气体的检测更符合实际，具有更高的准确性和可靠性。

主权项

一种微纳米生产粉尘泄露源的同位素法定位检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：以同位素标记多肽代替表面改性剂中的多肽，并与表面改性剂中其他成分均匀混合；步骤2：利用含有同位素标记多肽的表面改性剂，对半成品微纳米粉体进行均匀改性和标记；步骤3：将标记改性后的微纳米粉体在气流粉碎机上正常生产；步骤4：对生产线沿线区域和整个车间，进行同位素放射性检测；步骤5：基于车间内放射性强度数据，绘制生产车间内粉尘浓度的分布图，并根据粉尘浓度分布，定位粉尘泄漏源和粉尘集中分布区域。