[发明专利]一种自动聚焦垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 201310066180.9 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103178443A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张星;宁永强;秦莉;刘云;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 田春梅 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种自动聚焦垂直腔面发射激光器属于半导体激光器领域，该激光器包括P型DBR层、有源层、N型DBR层、衬底层、包覆在P型DBR层上的下电极和敷设在衬底层上的上电极；所述的上电极在覆盖出光窗口处的部分为同心环形或不等间距栅条或交叉栅条结构，带有上述结构的上电极可通过一次lift-off工艺形成，利用该上电极可在无需外加光束整形装置的条件下将激光器输出光束在指定平面聚焦为点光斑、线光斑或十字形光斑，在局部大幅度提高激光功率密度，满足广泛的应用需求。本发明中的自动聚焦垂直腔面发射半导体激光器制造工艺简单，重复性好，容易推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自动 聚焦 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
一种自动聚焦垂直腔面发射激光器，其特征在于：该激光器包括下电极（1）、P型DBR层（2）、有源层（3）、N型DBR层（4）、衬底层（5）和上电极（6）；N型DBR层（4）生长于衬底层（5）的下端，N型DBR层（4）的下端顺次生长有有源层（3）、P型DBR层（2）和下电极（1）；所述上电极（6）生长于衬底层（5）的上端面；下电极（1）、P型DBR层（2）和有源层（3）共同形成P型半导体台面；所述上电极（6）在覆盖激光器出光窗口的部分为同心环形结构或不等间距栅条形结构或交叉栅条形结构。
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