[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310066237.5 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022081A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘达;沈旭昭;刘磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上包括NMOSFET区域、PMOSFET区域、非高电阻区域和高电阻区域；在所述衬底上形成应力层；对所述应力层进行第一次光刻，去除所述PMOSFET区域上的应力层；对所述应力层进行退火处理；对所述应力层进行第二次光刻，去除所述NMOSFET区域上的应力层，保留所述高电阻区域上的应力层。采用上述半导体器件的制造方法，省略了形成高电阻区域的自对准金属硅化物阻挡层的沉积工艺和刻蚀工艺，减少了工艺步骤，缩短了生产周期，从而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上包括NMOSFET区域、PMOSFET区域、非高电阻区域和高电阻区域；在所述衬底上形成应力层；对所述应力层进行第一次光刻，去除所述PMOSFET区域上的应力层；对所述应力层进行退火处理；对所述应力层进行第二次光刻，去除所述NMOSFET区域上的应力层，保留所述高电阻区域上的应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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