[发明专利]MIM双电容器结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种MIM双电容器结构及其制造方法，在布线层及第一互连金属层之间的层间介质层中刻蚀形成底部暴露部分第一互连金属层的沟槽，并利用金属-绝缘层-金属-绝缘层的叠层结构填充该沟槽，且使布线层中的各金属线分别与该叠层结构中的各个金属层连接，由此形成了MIM双电容器结构，因此，该MIM双电容器结构相对于现有技术节省了所需占用的面积，提高了集成电路的小型化、集成化，并且在制造过程中相对于现有制造工艺减少了刻蚀及光刻的次数，降低了工艺的繁复度。

主权项

一种MIM双电容器结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，并于半导体基底上形成第一互连金属层；在互连金属层上表面形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层，以形成沟槽，所述沟槽底部暴露部分所述第一互连金属层；在所述层间介质层表面、沟槽侧壁及所述暴露的第一互连金属层表面上依次沉积形成第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层，所述第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层形成为叠层结构，且所述叠层结构填充所述沟槽；执行化学机械研磨，以暴露所述层间介质层表面；在层间介质层表面及所述叠层结构表面形成第二互连金属层；在第二互连金属层表面形成图案化光刻胶，并以图案化光刻胶为掩膜刻蚀所述第二互连金属层，以形成包括分别与所述第一金属层、第二金属层和第三金属层连接的第一金属线、第二金属线和第三金属线的布线层。