[发明专利]半导体元件及其制造方法与操作方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法与操作方法。半导体元件包括一衬底、一第一阱(well)、一第一重掺杂区(heavily doping region)、至少一第二重掺杂区、一栅极层、一第三重掺杂区以及一第四重掺杂区。第一阱设置于衬底上，第一重掺杂区设置于第一阱内，第二重掺杂区设置于第一重掺杂区内，栅极层设置于第一阱上，第三重掺杂区设置于衬底上，第四重掺杂区设置于第一阱内。第一重掺杂区、第三重掺杂区及第四重掺杂区具有一第一掺杂型态且彼此分隔开，第一阱及第二重掺杂区有一第二掺杂型态，第一掺杂型态互补于第二掺杂型态。

主权项

一种半导体元件，包括：一衬底；一第一阱(well)，设置于该衬底上；一第一重掺杂区(heavily doping region)，设置于该第一阱内；至少一第二重掺杂区，设置于该第一重掺杂区内；一栅极层，设置于该第一阱上；一第三重掺杂区，设置于该衬底上；以及一第四重掺杂区，设置于该第一阱内；其中该第一重掺杂区、该第三重掺杂区及该第四重掺杂区具有一第一掺杂型态且彼此分隔开，该第一阱及该第二重掺杂区有一第二掺杂型态，该第一掺杂型态互补于该第二掺杂型态。