[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201310066970.7 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103295868A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 奥村智洋;中山一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘晓迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体处理装置及方法，其能够稳定且高效率地产生等离子体，并能够在短时间内高效率地对基材的所希望的被处理区域整体进行处理。该等离子体处理装置包括：开口部，其开口宽度大于1mm；电介质部件，其划定由环状空间构成的环状腔室，该环状空间与所述开口部相连通；气体供给配管，其用于将气体导入所述环状腔室的内部；线圈，其设置在所述环状腔室附近；高频电源，其与所述线圈连接；基材载置台，其用于将基材与所述开口部相接近地配置。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
等离子体处理装置，包括：电介质部件，其划定由环状空间构成的环状腔室，该环状空间与开口宽度大于1mm的开口部相连通；气体供给配管，其用于将气体导入所述环状腔室的内部；线圈，其设置在划定所述环状腔室的电介质部件的附近；高频电源，其与所述线圈连接；以及基材载置台，其用于将基材与所述开口部相接近地配置。
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