[发明专利]制造具有钌衬里铜的集成电路的方法

摘要

本发明揭露一种制造具有钌衬里铜的集成电路的方法，且本发明提供制造集成电路的方法。在一实施例中，制造集成电路的方法包括沉积介电层，该介电层定义一平面。在该方法中，蚀刻该介电层以形成沟槽。接着，在该介电层上方沉积含钌衬里层。使用含铜金属填充所述沟槽。该方法包括凹入各沟槽中的该含铜金属，以在该含铜金属与该平面之间形成空隙。使用覆盖层填充该空隙。然后，平坦化该些层到至少该平面。

主权项

一种制造集成电路的方法，包括：沉积具有上表面的介电层，该介电层的上表面定义一平面；蚀刻该介电层以形成沟槽，该沟槽由多个沟槽表面所定义；在该介电层上方沉积含钌衬里层；使用含铜金属填充所述沟槽；平坦化该含铜金属直到与在该介电层的该沟槽外部的该含钌衬里层的上表面同一水平；当保留在该沟槽外部的该介电层的该上表面上的该含钌衬里层时，凹入各沟槽中的该含铜金属，以在该含铜金属与该平面之间形成空隙；使用覆盖层填充该空隙；以及执行平坦化工艺以平坦化该覆盖层、部分该含钌衬里层及该介电层的该上表面上方的该覆盖层到至少该平面，其中，在该平坦化工艺的期间，该介电层不暴露于该含铜金属。