[发明专利]后钝化结构中的电容器及其形成方法有效
| 申请号： | 201310067452.7 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103904052B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡豪益;陈宪伟;郭鸿毅;邵栋梁;陈英儒;于宗源;陈洁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种器件，包括金属焊盘和具有与金属焊盘重叠的部分的钝化层。电容器包括位于钝化层下方的底部电容器电极，其中，该底部电容器包括金属焊盘。电容器另外包括位于部分钝化层上方的顶部电容器电极；以及包括部分钝化层的电容器绝缘体。本发明还提供了一种后钝化结构中的电容器及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 结构 中的 电容器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一金属焊盘；第一钝化层，包括与所述第一金属焊盘重叠的部分，其中，所述第一钝化层包括下子层和位于所述下子层上方的上子层，所述下子层和所述上子层的材料不同；以及电容器，包括：底部电容器电极，位于所述第一钝化层下方，所述底部电容器包括所述第一金属焊盘；顶部电容器电极，位于所述第一钝化层的所述部分上方，其中，所述顶部电容器电极穿透所述第一钝化层的所述上子层以接触所述第一钝化层的所述下子层的顶面；和电容器绝缘体，包括所述第一钝化层的所述部分。
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