[发明专利]一种磁性上转换发光双功能同轴纳米带及其制备方法无效
| 申请号： | 201310068512.7 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103225122A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 董相廷;马千里;王进贤;于文生;刘桂霞 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | D01D5/34 | 分类号： | D01D5/34;D01D5/00;D01D1/02;D01F8/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁性上转换发光双功能同轴纳米带及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括五个步骤：(1)沉淀法制备Fe3O4纳米晶；(2)沉淀法制备NaYF4:Yb3+,Er3+纳米晶；(3)制备聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；(4)配制纺丝液；(5)制备[Fe3O4+PMMA]@[NaYF4:Yb3+,Er3++PMMA]磁性上转换发光双功能同轴纳米带，采用同轴静电纺丝技术制备，同轴纳米带的宽度为10μm，芯层宽度为3μm，厚度为988nm，长度大于100μm。这种具有磁光双功能、结构新颖的同轴纳米带，将具有重要应用。本发明的方法简单易行，可以批量生产，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 转换 发光 功能 同轴 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性上转换发光双功能同轴纳米带，其特征在于，纳米带材料呈现同轴纳米带结构，具有磁性和上转换发光双功能，同轴纳米带的宽度为10μm，芯层宽度为3μm，厚度为988nm，长度大于100μm。
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