[发明专利]一种包含可定制熔丝配置模块的可编程逻辑电路有效

专利信息
申请号: 201310068752.7 申请日: 2013-03-05
公开(公告)号: CN103633993B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 杨海钢;黄志洪;陈柱佳;张丹丹;李威;高丽江;杨立群 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: H03K19/177 分类号: H03K19/177
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100080 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种可定制的可编程逻辑电路,其配置位由可定制的静态存储器(SRAM)配置单元和可切换为熔丝位控制的可定制熔丝配置单元共同构成。在实现定制电路时,按照一定流程,通过更改有限层金属掩膜版,实现将部分电路功能固化,同时将关键电路的控制位切换为熔丝位控制,预留给用户进行自行烧写熔丝配置,最终实现用户电路功能,并同时实现用户电路关键信息的安全性保障。本发明的可编程逻辑电路,在继承了通用FPGA开发周期短、成本低、灵活性强、可实现电路规模大的优点基础上,抗单粒子能力得到了显著的提高,同时为用户电路安全性提供了一种切实可行的解决方案。
搜索关键词: 一种 包含 定制 配置 模块 可编程 逻辑电路
【主权项】:
一种可定制的可编程逻辑电路,其包括关键位配置模块和普通位配置模块,所述关键位配置模块用于存储可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置信息,并控制所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置;所述普通位配置模块用于存储可编程逻辑电路中可编程资源普通位的配置信息,并控制可编程逻辑电路中可编程资源普通位的配置;所述关键位配置模块包括非易失性存储器阵列,其用于存储所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置信息;所述关键位配置模块还包括静态存储器单元阵列,其用于存储所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置信息,并在配置模式下控制所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置;而所述非易失性存储器阵列在定制模式下控制所述可编程逻辑电路中可编程资源关键位的配置;所述普通位配置模块包括静态存储器单元和提供固定高低电平的定制源,所述普通位配置模块中的静态存储器单元用于存储所述可编程逻辑电路中可编程资源普通位的配置信息,并在配置模式下用于控制所述可编程逻辑电路中可编程资源普通位的配置;而所述定制源在定制模式下直接向所述普通位配置模块的输出提供固定的高低电平以控制所述可编程逻辑电路中可编程资源普通位的配置。
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