[发明专利]基于PI的液栅型石墨烯场效应管的制备方法和检测方法有效
| 申请号： | 201310069819.9 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103199020A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 吴蕾;成霁;金庆辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;G01R31/26;G01N21/64 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于PI的液栅型石墨烯场效应管的制备方法和检测方法，其特征在于在硅基底上沉积铝层作为牺牲层；将PI光刻胶旋涂在铝层上作为柔性场效应管的基底；以商品化的石墨烯/聚甲基酸甲酯薄膜转移至预先沉积在PI基底上的钛/金电极，形成良好的欧姆接触；以AZ4620光刻胶作为石墨烯图形化的掩模层；以氧等离子体对石墨烯进行刻蚀；利用PI光刻胶在图形化的石墨烯表面制作绝缘层，形成液栅型的结构。本发明提供的场效应管结构为液栅型，这样既可以减少加工的步骤又便于对石墨烯表面进行进一步的表面修饰，从而实现对各种生物信号的特异性检测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 pi 液栅型 石墨 场效应 制备 方法 检测 | ||
【主权项】：
一种基于PI的液栅型石墨烯场效应管的制备方法，其特征在于在硅基底上沉积铝层作为牺牲层；将PI光刻胶旋涂在铝层上作为柔性场效应管的基底；以商品化的石墨烯/聚甲基酸甲酯薄膜转移至预先沉积在PI基底上的钛/金电极，形成良好的欧姆接触；以AZ4620光刻胶作为石墨烯图形化的掩模层；以氧等离子体对石墨烯进行刻蚀；利用PI光刻胶在图形化的石墨烯表面制作绝缘层，形成液栅型的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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