[发明专利]制备二氧化硅复合颗粒的方法有效
| 申请号： | 201310070009.5 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103482635B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 奥野广良;岩永猛;饭田能史;滨睦;鹿岛保伸;野崎骏介 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备二氧化硅复合颗粒的方法，所述方法包括处理二氧化硅颗粒，其中，所述处理是指在超临界二氧化碳中用金属化合物处理二氧化硅颗粒，且在所述金属化合物中，金属原子通过氧原子与有机基团结合，并且所述金属原子选自由Ti、Al、Zr、V和Mg组成的组。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 二氧化硅 复合 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备二氧化硅复合颗粒的方法，所述方法包括：处理二氧化硅颗粒，其中，所述处理是指在超临界二氧化碳中用金属化合物处理二氧化硅颗粒，在所述金属化合物中，金属原子通过氧原子与有机基团结合，并且所述金属原子选自由Ti、Al、Zr、V和Mg组成的组，其中，所添加的所述金属化合物的量是所述二氧化硅颗粒的0.01重量％～10重量％，其中，所述二氧化硅颗粒的体积平均粒径是20nm～300nm，其中，所述超临界二氧化碳的密度是0.10g/ml～0.80g/ml，并且其中，在所述处理中所述超临界二氧化碳的温度是80℃～300℃。
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