[发明专利]处理室内零件的冷却方法有效
申请号: | 201310070714.5 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN103311152B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 田中诚治;志村昭彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种不使基板处理装置的结构复杂化就能够快速冷却处理室内零件的处理室内零件的冷却方法。在用于对基板(G)实施干蚀刻处理的基板处理装置(10)中,对配置于由能够互相分离的基部(11a)和盖部(11b)构成的腔室(11)内的载置台(12)进行冷却时,将腔室(11)内的压力调整至大气压,使盖部(11b)与基部(11a)分开而在腔室(11)的侧壁部的整周上形成开放部(11d),从而使腔室(11)内和大气相连通,使用排气系统(14)在腔室(11)内形成气流,在判断载置台(12)的温度为60℃以下的情况下,停止排气系统(14)的工作而使腔室(11)内的气流停止。 | ||
搜索关键词: | 腔室 冷却 基板处理装置 排气系统 载置台 室内 盖部 基部 结构复杂化 互相分离 快速冷却 压力调整 侧壁部 对基板 干蚀刻 整周 配置 开放 | ||
【主权项】:
1.一种处理室内零件的冷却方法,其是用于对配置在对基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室内的、作为上述基板处理装置的构成的处理室内零件进行冷却的冷却方法,其特征在于,该冷却方法包括以下步骤:压力调整步骤,将上述处理室内的压力调整至大气压;处理室内开放步骤,使上述处理室的侧壁部在整周上连续地开放而使上述处理室内和大气相连通;气流形成步骤,使用用于对上述处理室内进行排气的排气装置而在上述处理室内形成上述大气的流动;温度判断步骤,判断上述处理室内零件的温度是否为规定的温度以下;以及气流停止步骤,在上述温度判断步骤中判断为上述处理室内零件的温度为规定的温度以下的情况下,停止上述排气装置的工作而使上述大气的流动停止。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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