[发明专利]一种低衰减单模光纤

摘要

本发明涉及一种低衰耗单模光纤，包括有纤芯层和包层，其特征在于在纤芯层外依次包覆第一内包层和第二内包层，所述的纤芯层半径R1为3.5μm~5μm，相对折射率差为0.2%~0.4%，所述的第一内包层半径R2为6.5μm~11μm，相对折射率差为-0.06%~0%，所述的第二内包层半径R3为15μm~30μm，相对折射率差范围为-0.02%~0.05%；最外层是外包层，外包层为纯二氧化硅石英玻璃层。本发明采用了双内包层结构，使光纤的折射率剖面设计更趋合理。对芯层和包层的掺杂剂进行优化，使得纤芯层材料的粘度降低，可以匹配芯层和包层的粘度，有效降低拉丝张力所造成的的应力集中在纤芯部分而造成光纤衰减增加。光纤在全面兼容G.652标准的基础上，衰减性能远远优于常规G.652光纤。

主权项

1.一种低衰耗单模光纤，包括有纤芯层和包层，其特征在于在纤芯层外依次包覆第一内包层和第二内包层，所述的纤芯层半径R1为3.5μm~5μm，相对折射率差为0.2%~0.4%，所述的第一内包层半径R2为6.5μm~11μm，相对折射率差为-0.06%~0%，所述的第二内包层半径R3为15μm ~30μm，相对折射率差范围为-0.02%~0.05%；最外层是外包层，外包层为纯二氧化硅石英玻璃层。