[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310071915.7 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103187499A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 盛翠翠;邱姝颖;吴超瑜;陶青山;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，包括：基板，其具有正、反两个主表面，V型凹槽形成于所述导电基板的正表面上，所述V型凹槽表面为一反射面；发光外延层，形成于所述基板上，其边缘在垂直方向上的投影位于V型凹槽的底部与内侧边缘之间，使得由发光外延层边缘发出的光入射到V型凹槽的镜面上，向外侧射出。此结构可以有效提高器件的取光效率，同时可控制发光外延层边缘区域光线的路径。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括：基板，其具有正、反两个主表面，至少一V型凹槽形成于所述基板的正表面上，所述V型凹槽表面为一反射面；发光外延层，形成于所述基板上，其边缘在垂直方向上的投影位于V型凹槽的底部与内侧边缘之间，使得由发光外延层边缘发出的光入射到V型凹槽的镜面上，向外射出。
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