[发明专利]一种具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201310072169.3 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103151383A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王玮;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管及其制备方法。本发明通过外延生长的方法在隧穿晶体管的锗化硅源区下面形成一层与锗化硅源区掺杂类型相反的高掺杂硅层，锗化硅相对于硅具有更窄的禁带宽度，因此可以提高源区和沟道区之间的能带弯曲程度，进而能够减小隧穿长度、提高隧穿效率。本发明所提出的具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管可以在不影响关断电流的情况下大幅度提高开启电流，降低亚阈值摆幅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 沟道 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有叠层结构的U型沟道隧穿晶体管，包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的具有第二种掺杂类型的漏区；在所述半导体衬底内靠近漏区的一侧形成的U型沟道区；在所述U型沟道区之上形成的覆盖整个U型沟道区表面的栅介质层；在所述栅介质层之上形成的栅极；其特征在于：在所述半导体衬底上所述U型沟道区的非漏区一侧形成的具有第一种掺杂类型的锗化硅源区；在所述半导体衬底上,且位于所述锗化硅源区之下形成的具有第二种掺杂类型的高掺杂硅层，其物理厚度范围为1‑10纳米。
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