[发明专利]记忆元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310073110.6 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104037207A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 颜士贵 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种记忆元件及其制造方法。该记忆元件包括第一介电层、T型栅极、二电荷储存层以及二第二介电层。其中第一介电层配置于衬底上。T型栅极配置于第一介电层上且具有上部栅极及下部栅极，二空隙分别存在于下部栅极的两侧以及上部栅极与衬底之间。电荷储存层分别嵌入空隙中。第二介电层配置于电荷储存层与上部栅极之间、电荷储存层与下部栅极之间以及电荷储存层与衬底之间。本发明还提供了一种记忆元件的制造方法。借此，本发明通过T型栅极的下部栅极将两个电荷储存区域隔开，可以提供定位的电荷储存区域，以使电荷可以完全定位化储存，减少第二位元效应，并降低编程干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种记忆元件，其特征在于其包括：一第一介电层，配置于一衬底上；一T型栅极，配置于该第一介电层上且具有一上部栅极及一下部栅极，其中二空隙分别存在于该下部栅极的两侧以及该上部栅极与该衬底之间；二电荷储存层，分别嵌入该些空隙中；以及二第二介电层，配置于该些电荷储存层与该上部栅极之间、该些电荷储存层与该下部栅极之间以及该些电荷储存层与该衬底之间。
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