[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310073197.7 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103367422A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 多木俊裕 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：其中产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；以及形成于化合物半导体复合结构上的电极，其中化合物半导体复合结构包括在产生二维电子气的部分下方的p型半导体层，并且p型半导体层包括比p型半导体层的其它部分包含有更大量的离子化受主的部分，所述部分位于电极下方。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：其中产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；以及形成在所述化合物半导体复合结构上的电极，其中所述化合物半导体复合结构包括在产生有所述二维电子气的部分下方的p型半导体层，以及所述p型半导体层包括比所述p型半导体层的其它部分包含有更大量的离子化受主的部分，所述部分位于所述电极下方。
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