[发明专利]半导体封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310073377.5 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311222A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 霍斯特·托伊斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李静;王素贞 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体封装件的形成方法包括将具有贯通开口的薄膜层施加在载体上，并将半导体芯片的背面附接于所述薄膜层。半导体芯片的正面上具有触头。所述方法包括利用第一公共沉积和图案化步骤来在开口中形成导电材料。所述导电材料接触所述半导体芯片的触头。通过利用第二公共沉积和图案化步骤将半导体芯片、薄膜层、以及导电材料封装在封装剂中来形成重新配置的晶圆。将该重新配置的晶圆进行分离以形成多个封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，包括：第一晶片，设置在薄膜层上；封装剂材料，包围所述第一晶片并设置在所述薄膜层上；以及第一互连部，具有第一端和相对的第二端，所述第一端接触位于所述第一晶片上的触头，并且所述第二端形成所述半导体封装件的第一外部接触脚，所述第一外部接触脚设置在所述薄膜层内。
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