[发明专利]以高能辐射源形成多晶硅的方法无效
| 申请号： | 201310073478.2 | 申请日： | 2013-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165422A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 叶昱均 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201506 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以高能辐射源形成多晶硅的方法，其采用一个准分子雷射系统，该准分子雷射系统包括至少两个具有不同波长的所述激光源，二向色镜，反射镜以及基板；所述二向色镜和所述反射镜面对所述激光源并与所述激光源之间呈一定夹角以使所述激光源发射的激光垂直照射于所述基板上；所述反射镜位于所述二向色镜上方；所述基板上放置半导体薄膜材料；上述技术方案的有益效果是：可以有效增加多晶硅的结晶率，减少准分子雷射的频率使用，减少成本，并有效提高回火的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 高能 辐射源 形成 多晶 方法 | ||
【主权项】：
以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述高能辐射源为激光源，采用一个准分子雷射系统形成多晶硅，所述准分子雷射系统包括至少两个具有不同波长的所述激光源，二向色镜、反射镜以及基板；所述二向色镜和所述反射镜面对所述激光源并与所述激光源之间呈一定夹角以使所述激光源发射的激光垂直照射于所述基板上；所述反射镜位于所述二向色镜上方；在所述基板上放置半导体薄膜材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
