[发明专利]一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷无效

专利信息
申请号: 201310074771.0 申请日: 2013-03-11
公开(公告)号: CN103172362A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 黄新友;高春华;李军;花海堂;花银群 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷,它采用常规的固相法陶瓷的制备方法,利用普通化学原料,制备得到无铅、无镉的无毒低温烧结低损耗铌镁酸铋介电陶瓷,该陶瓷适合于制备移相器、滤波器、压控振荡器等,能与低成本银钯合金电极共烧,并且在制备和使用过程中不污染环境,其特征在于所述介质的配方包括:(Bi2-xAx)(Mg1/3Nb2/3-yBy)2O7,0.01≤x≤0.5,A=Li或Y;0.02≤y≤0.8,B=Ti或Sn或Zr。所制备的介电陶瓷烧结温度低,烧结温度为950-980℃,介质损耗小,介质损耗小于0.001;介电常数较高约为130左右;高的介电调谐率,介电调谐率大于56%;使用过程中性能稳定性好,安全性高,对环境无污染。
搜索关键词: 一种 低温 烧结 损耗 高介电 调谐 率铌镁酸铋介电 陶瓷
【主权项】:
一种低温烧结低损耗高介电调谐率铌镁酸铋介电陶瓷,所述介电陶瓷介质损耗小于0.001,介电常数为125‑132,介电调谐率为57‑65 %,其特征在于:所述介电陶瓷的化学式为:(Bi2‑xAx)(Mg1/3Nb2/3‑yBy)2O7,0.01≤x≤0.5,A为Li或Y;0.02≤y≤0.8,B=Ti、Sn或Zr。
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