[发明专利]一种闪存存储器的制备方法

摘要

本发明提供一种闪存存储器的制备方法，本发明采用湿法刻蚀与干法刻蚀结合的方法形成位于浮栅间隔离结构处的沟槽，该沟槽横截面为倒梯形且开口存在倒角。与现有技术采用纯湿法刻蚀相比较，本发明增加的干法刻蚀，一方面，使增加有源区与控制栅的最短距离的同时保证该距离的一致性，有利于增加闪存存储器的控制栅与浮栅之间的电容面积，提高栅耦合系数，从而提升存储器的额定漏电流，进而提高闪存存储器的擦除速度和循环操作时器件的可靠性；另一方面，增大了沟槽开口的宽度，降低沟槽深宽比，有利于提高填充至倒梯形沟槽内材料的致密性的同时，降低相邻存储单元浮栅间的耦合干扰，提高闪存存储器的可靠性。

主权项

一种闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法在依次形成位于浮栅上的介质层和控制栅之前至少包括：1)提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中通过制备隔离结构以隔离出有源区，并在所述有源区上依次形成隧穿氧化层及浮栅，而后进行平坦化处理；2)对所述隔离结构进行湿法刻蚀，直至距所述浮栅表面第一深度处，在浮栅间形成沟槽以暴露出部分浮栅；3)沿该沟槽继续对所述隔离结构进行干法刻蚀，直至该隔离结构的表面与有源区顶部的沟道拐角之间的最短距离为第一距离截止，以在所述浮栅之间的隔离结构中形成横截面为倒梯形的沟槽，所述沟槽底部与浮栅表面之间的距离为第二深度，所述干法刻蚀一方面形成了所述沟槽，另一方面同时在所述浮栅顶部拐角处形成倒角，以降低相邻存储单元浮栅间的耦合干扰；所述干法刻蚀只在深度上进行刻蚀，在横向未刻蚀，提高了各个存储单元的有源区沟道拐角与隔离结构表面之间最短距离的一致性；所述第一距离的范围是30～35nm。