[发明专利]三维花状水杨酸根插层层状氢氧化物纳米材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310077522.7 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103121665A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 王连英;洪玲;宋莹莹;何静 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01B13/14 | 分类号： | C01B13/14;C01G53/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 何俊玲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三维花状水杨酸根插层的层状氢氧化物纳米材料及其制备方法。该材料是颗粒均匀的纳米粉末，其直径在1-2um，其微观结构为花状结构，花瓣为均匀生长的纳米薄片，该纳米片的厚度为5-20nm。该材料的制备方法是可溶性二价金属盐和可溶性铝盐的混合盐溶液与水杨酸盐溶液混合，同时用碱溶液调节pH=6.5-7.5；在静置状态下于120-160℃水热晶化12-72h；洗涤、干燥，得到三维花状结构水杨酸根插层层状金属氢氧化物纳米材料。所采用的水热法制备，得到的材料纳米颗粒均匀，花瓣均为均匀生长的薄片。本发明具有原料易得，设备工艺简单，无需导向剂或修饰剂，高效快速，产率高等特点，适合大规模工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 水杨酸 根插 层状 氢氧化物 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维花状水杨酸根插层的层状氢氧化物纳米材料，其化学通式为：[M2+1‑xM3+x(OH)2]X+(An‑)x/n·mH2O，其中M2+为二价金属阳离子Co2+、Ni2+中的一种或两种、M3+为三价金属阳离子Al3+，An‑为层间阴离子CO32‑，NO3‑，Cl‑；X为M3+/(M2++M3+)的摩尔比值，且0≤X<0.5；m为层间自然形成的结晶水分子数；该材料是颗粒均匀的纳米粉末，其直径在1‑2μm，其微观结构为花状结构，花瓣为均匀生长的纳米薄片，该纳米片的厚度为5‑20nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学，未经北京化工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310077522.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
