[发明专利]高K金属栅结构的制备方法

摘要

本发明提供一种高K金属栅结构的制备方法，至少包括以下步骤首先提供一衬底，在所述衬底上自下而上依次形成界面层及高K电介质层；然后在所述高K电介质层上沉积阻挡层；再采用化学气相沉积法在所述阻挡层上沉积硅层以使硅原子或硅离子进入所述阻挡层中，形成硅掺杂的阻挡层；最后在制作金属栅极层。本发明的方法不用经过后续的快速高温热处理，避免了高K介质层晶化及界面层增厚的问题，并简化了工艺，硅掺杂的阻挡层作为金属扩散阻挡层，更有效地阻止了金属栅极层中的金属扩散到高K介质中，从而保持器件的良好性能。

主权项

一种高K金属栅结构的制备方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：1)提供一衬底，在所述衬底上自下而上依次形成界面层及高K电介质层；2)在所述高K电介质层上沉积阻挡层；3)采用化学气相沉积法在所述阻挡层上沉积硅层，在沉积过程中，硅原子或硅离子便进入所述阻挡层上部或整个阻挡层中，形成硅掺杂的阻挡层，不用经过后续的快速高温热处理，避免了阻挡层下的高K电介质层晶化及界面层增厚；所述化学气相沉积法的温度范围是400～600℃；4)在所述步骤3)形成的结构上制作金属栅极层。