[发明专利]一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法

摘要

本发明公开了一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，涉及半导体光电子材料与器件技术领域，其包括以下步骤：①多孔硅表面化学镀前处理；②采用化学镀工艺；③对含金属电极的多孔硅进行干燥处理；④对含金属电极的多孔硅进行快速退火处理；⑤采用光刻工艺将金属电极刻蚀成指定电极形状，完成电极制备。本发明利用化学镀的自催化镀膜原理，通过改良的化学镀工艺，以多孔硅独特的多孔面为基础，在不采用敏化活化工艺的前提下完成多孔硅的化学镀，在多孔硅表面形成一层附着力良好、结合强度高的金属电极，能提高金属电极与多孔硅表面的结合力、降低接触电阻。

主权项

一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：①多孔硅表面化学镀前处理：首先采用HF水溶液去除多孔硅表面氧化层，然后用去离子水清洗；②采用化学镀工艺：在经①化学镀前处理的多孔硅表面上沉积一层金属电极，所述金属电极成分为Ni‑P合金或Ni‑B合金，厚度为0.5~2μm；③对含金属电极的多孔硅进行干燥处理；④对含金属电极的多孔硅进行快速退火处理；⑤采用光刻工艺将金属电极刻蚀成指定电极形状，完成电极制备。