[发明专利]碳化硅晶片的退火方法无效
| 申请号： | 201310077884.6 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103114336A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 姜涛;严成锋;孔海宽;刘熙;陈建军;高攀;忻隽;肖兵;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅晶片的退火方法，包括：将经初加工的碳化硅晶片置于退火炉中，在惰性气体或还原性气体的保护下，缓慢升温1～8小时（优选3～6小时）至退火温度1200～1800℃（优选1300～1500℃），在该退火温度恒温保温0.1～5小时（优选2～3小时），然后缓慢降温1～10（优选3～7小时）小时至室温。本发明通过对SiC晶片进行退火，与SiC晶锭的退火过程相比，具有退火温度低，时间短，在生产过程中容易实现等优点。经本发明退火处理，可以显著降低SiC晶片中的残余应力、减少缺陷，提高SiC晶片的结晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅晶片的退火方法，其特征在于，包括：将经初加工的碳化硅晶片置于退火炉中，在惰性气体或还原性气体的保护下，缓慢升温1～8小时至退火温度1200～1800℃，在该退火温度恒温保温0.1～5小时，然后缓慢降温1～10小时至室温。
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