[发明专利]一种提高非晶硅薄膜电导率的方法有效
| 申请号： | 201310078158.6 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103132018A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李伟;郭安然;何剑;王垠;余峰;王冲;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜电导率的方法，属于非晶半导体薄膜材料与器件技术领域。该方法包括以下步骤：①对绝缘衬底基片进行清洗；②采用射频磁控溅射方法，在上述基片表面通过硅钌复合靶溅射沉积非晶硅钌合金薄膜；③原位退火处理；④采用共面电极方法制备金属电极。本发明通过在非晶网络中引入贵金属钌，在保留非晶硅薄膜具有较高电阻温度系数、良好光吸收特性的同时，能有效提高非晶硅薄膜的电导率；可用于热敏电阻、红外探测器件和硅基薄膜太阳能电池等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 非晶硅 薄膜 电导率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高非晶硅薄膜电导率的方法，其特征在于，包括以下步骤：①对绝缘衬底基片进行清洗，分别用丙酮、乙醇溶液和去离子水进行超声清洗，使基片表面洁净；②采用射频磁控溅射方法，纯钌块被对称镶嵌于硅靶表面；③首先将沉积室抽至高真空并加热基片，然后预溅射，最后沉积非晶硅钌合金薄膜；④对步骤③得到的薄膜进行原位退火处理；⑤在步骤④得到的薄膜表面制备金属电极，采用矩形金属共面电极，用于非晶硅钌合金薄膜的电导率测试。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310078158.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
