[发明专利]由氮等离子体处理的ITO膜及使用该ITO膜的有机电致发光设备有效
| 申请号： | 201310078245.1 | 申请日： | 2004-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN103199201A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 孙世焕;姜旼秀;全相映;金钟杰 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;刘晔 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氧化铟锡(ITO)膜，其中通过氮与选自包括ITO构成元素In、Sn和O原子的组的至少一种原子反应而制备的含氮化合物，或沉淀的含氮的化合物存在于ITO膜的表面上；本发明还公开了一种制备ITO膜的方法，该方法包括使用氮等离子体处理ITO膜的表面的步骤。使用本发明提供的ITO膜作为阳极的有机电致发光设备显示出低电压、高效率和长寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 ito 使用 有机 电致发光 设备 | ||
【主权项】：
一种制备包含氧化铟锡的用于有机电致发光设备的阳极的方法，该方法包括以下步骤：使用氮等离子体处理氧化铟锡膜的表面，从而使该氧化铟锡表面的逸出功降低。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG化学株式会社，未经LG化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310078245.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
