[发明专利]制作与双重图案化技术兼容的转折布局绕线的方法有效
| 申请号： | 201310078397.1 | 申请日： | 2013-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103311102A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 袁磊;J·桂 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;G03F1/76 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明揭露一种制作与双重图案化技术兼容的转折布局绕线的方法，其中，揭示于本文的一示范方法涉及建立包含奇转折特征的整体目标图案，该奇转折特征有连接第一及第二直线部分的跨接区，其中，该跨接区在第一方向有大于横交于该第一方向的第二尺寸的第一尺寸，将该整体目标图案分解成第一子目标图案与第二子目标图案，其中，所述子目标图案各自包含一直线部分与该跨接区的第一部分，以及产生各自对应至该第一及该第二子目标图案的第一及第二组掩膜数据。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 双重 图案 技术 兼容 转折 布局 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包含下列步骤：建立由包含一奇转折特征的多个特征构成的一整体目标图案，该奇转折特征有连接第一及第二直线部分的一跨接区，该跨接区在平行于该第一及该第二直线部分中的一直线部分的长轴的第一方向有第一尺寸，该第一尺寸大于该第一及该第二直线部分各自在横交于该第一方向的第二方向的第二尺寸；将该整体目标图案分解成第一子目标图案与第二子目标图案，其中，该第一子目标图案包含该第一及该第二直线部分中之一直线部分与该跨接区的第一部分以及该第二子目标图案包含该第一及该第二直线部分中的另一直线部分与该跨接区的第二部分；产生对应至该第一子目标图案的第一组掩膜数据；以及产生对应至该第二子目标图案的第二组掩膜数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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