[发明专利]一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法及其薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法，以硅源、碳源作为反应源，氩气作为保护气体，在掺杂剂的作用下，通过化学气相沉积技术得到。本发明还公开了一种非晶态碳化硅薄膜晶体管，该非晶态碳化硅薄膜晶体管包括衬底、阻隔层、源电极和漏电极、栅电极、栅绝缘层、沟道层、钝化层，其中，沟道层采用上述化学气相沉积技术得到的非晶态碳化硅薄膜。本发明非晶态碳化硅薄膜的制作方法操作简便，适于大面积连续生产。本发明非晶态碳化硅薄膜晶体管是在廉价的衬底上得到的，无需考虑碳化硅本体的翘曲等问题，且得到的薄膜晶体管具有耐压、抗击穿的特点。

主权项

一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，以硅源、碳源作为反应源，氩气作为保护气体，在掺杂剂的作用下，在衬底上通过化学气相沉积技术得到；所述的硅源选自三氯氢硅、四氯化硅、乙硅烷或硅烷；所述的碳源选自甲烷；所述的掺杂剂为n型掺杂剂或p型掺杂剂；其中，掺杂剂和硅源流量混合比例为1%～20%，碳源和硅源流量混合比例为1:2～1:1。