[发明专利]发光二极管及其芯片板上封装结构无效
| 申请号： | 201310079405.4 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103972359A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 宋健民;甘明吉 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括：基板；半导体外延层，其包括第一半导体外延层、活性中间层、以及第二半导体外延层；反射层；金属层；以及碳化物层；其中，该活性中间层及该碳化物层间的距离可为1至10微米。此外，本发明亦有关于一种芯片板上封装结构，其包括：电路载板；半导体外延层，其包括第一半导体外延层、活性中间层、以及第二半导体外延层；反射层；金属层；以及碳化物层；其中，该活性中间层及该碳化物层间的距离可为1至10微米。据此，本发明的发光二极管及其芯片板上封装结构，可以快速移除高温热点及提升输出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：一基板；一半导体外延层，其位于该基板表面，该半导体外延层包括一第一半导体外延层、一活性中间层、以及一第二半导体外延层；一反射层，其夹置于该半导体外延层及该基板之间；一金属层，其夹置于该反射层及该基板之间；以及一碳化物层，其夹置于该金属层及该基板之间；其中，该活性中间层及该碳化物层间的距离为1至10微米。
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