[发明专利]一种SiC纳米线装饰层状多孔陶瓷的制备方法

摘要

本发明涉及多孔陶瓷，特指由SiC纳米线装饰层状多孔SiOC陶瓷的制备方法，以滤纸为模板，有机硅树脂为高分子前驱体，通过原位反应合成了由SiC纳米线装饰的层状多孔陶瓷，该方法制备工艺简单，成本较低，合成的SiC纳米线生长在层状多孔陶瓷中，有效提高了多孔陶瓷的性能指标。

主权项

一种SiC纳米线装饰层状多孔陶瓷的制备方法，其特征在于包括步骤如下：（1）将高分子前驱体有机硅树脂溶解于二甲苯溶液中并超声振荡至均匀混合；（2）将上述混合均匀的有机硅树脂溶液浸渍入滤纸中，并在80‑120℃下固化；（3）将固化的滤纸压制成试样；（4）将压制成型的试样在Ar气氛中高温烧结：烧结起始温度为50℃，以5℃/min的速度升至150℃，保温15min后；以2℃/min的速度升温至400℃保温30min；再以5℃/min 的速度升温至1200℃‑1400℃保温后冷却至室温。