[发明专利]用于在CMOS图像传感器中玻璃去除的方法和装置有效
申请号: | 201310080243.6 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN103378115B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 陈保同;陈思莹;杨敦年;刘人诚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了用于在形成CMOS图像传感器的同时去除玻璃的方法。提供了用于形成器件的方法,包括在器件晶圆上形成多个像素阵列;将载具晶圆接合至器件晶圆的第一面;在器件晶圆的第二面的上方接合衬底;减薄载具晶圆;形成与器件晶圆的第一面的电连接件;然后,使衬底与器件晶圆的第二面分离;以及随后从器件晶圆分割出多个像素阵列的单独像素阵列。公开了一种装置。本发明还提供了用于在CMOS图像传感器中玻璃去除的方法和装置。 | ||
搜索关键词: | 用于 cmos 图像传感器 玻璃 去除 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种用于形成图像传感器件的方法,包括:在器件晶圆上形成多个像素阵列;将衬底接合至所述器件晶圆;减薄所述器件晶圆;在将所述衬底接合至所述器件晶圆之后,在所述器件晶圆上形成电连接件;使所述衬底与所述器件晶圆分离,从而使光线直接入射至所述图像传感器件的微透镜材料;以及然后,从所述器件晶圆分割出所述多个像素阵列中的各个像素阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的