[发明专利]磁传感器制造在审
| 申请号： | 201310080431.9 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103310804A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | Q·何;丁元俊;M·W·科温顿;M·T·凯夫;陈永华 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种磁传感器，包括第一屏蔽、第二屏蔽以及第一屏蔽和第二屏蔽之间的传感器叠层，传感器叠层具有多个层，其中至少一个层使用原位快速热退火被退火。在磁传感器的一种实现中，使用原位快速热退火来对籽晶层进行退火。替代地，使用原位快速热退火来对势垒层、AFM层和覆盖层中的一个进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 制造 | ||
【主权项】：
一种制造传感器叠层的方法，包括：使用原位快速热退火对所述传感器叠层的至少两个层进行退火。
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