[发明专利]一种介孔氧化硅薄膜材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310081293.6 申请日: 2011-07-25
公开(公告)号: CN103121856A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 刘玉荣 申请(专利权)人: 重庆文理学院
主分类号: C04B41/50 分类号: C04B41/50
代理公司: 重庆弘旭专利代理有限责任公司 50209 代理人: 李靖
地址: 重庆市永*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 一种介孔氧化硅薄膜材料的制备方法,将P123和PDMS-PEO加入到聚合氧化硅溶胶中形成低聚硅酸盐前躯体溶液,然后经老化、旋涂到硅片上,再经焙烧制得低介电常数介孔氧化硅薄膜材料;所述聚合氧化硅溶胶是将TEOS、水、盐酸和乙醇混合经回流制得的。本发明方法制得的氧化硅薄膜材料介电常数在1.9~2.8,且介电稳定性好;焙烧后骨架收缩率为8%~16%、其骨架稳定性能优异;同时该材料高温热稳定性及疏水稳定性好;薄膜的介孔孔径较小,且尺寸分布均匀,其比表面积、孔容和孔径可分别达600~1000m2g-1,0.35~0.65cm3g-1和4.5~6.2nm;总之,本发明方法制得的氧化硅薄膜材料特别适合用于低介电常数涂层、膜分离、传感器、光学材料等领域。
搜索关键词: 一种 氧化 薄膜 材料 制备 方法
【主权项】:
一种介孔氧化硅薄膜材料的制备方法,其特征在于:将P123和PDMS‑PEO加入到聚合氧化硅溶胶中,形成低聚硅酸盐前躯体溶液,然后在室温下老化4~6 h,将老化后的前躯体溶液采用1500 rpm左右的速度旋涂到硅片上、旋涂时间为28 s,将旋涂后所得涂层在空气气氛下110 ℃焙烧4 h,再在大约400℃焙烧1 h,制得低介电常数介孔氧化硅薄膜材料;所述氧化硅溶胶是按摩尔比为1:72:0.004:33的TEOS,水,质量百分比浓度为37%的浓盐酸和无水乙醇在68~75 ℃回流80~100 min制得的;以上反应物中,TEOS:P123:PDMS‑PEO:水:37wt%HCl:无水乙醇的摩尔比为1:0.01:0.01:75:0.006:30。
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