[发明专利]一种提湿法刻蚀承托装置和方法无效
| 申请号： | 201310082044.9 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103219273A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 佟金刚;李阳柏;张传民;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为提湿法刻蚀承托装置和方法。包括晶圆滚动装置、传动装置和驱动装置；所述晶圆放置于所述晶圆滚动装置上，所述驱动装置通过所述传动装置驱动所述晶圆滚动装置带动所述晶圆转动；其中，所述晶圆滚动装置包括至少两根滚动杆，每根所述滚动杆上均设置有多个导向结构，所述晶圆可转动地置于所述导向结构中。本发明通过对湿法刻蚀设备中的承托装置进行了设计，赋予了承托装置旋转晶圆的功能，从而使得晶圆能够在承托装置上进行匀速的旋转。当晶圆在保持匀速旋转的同时进入和离开刻蚀液时，能够基本保证刻蚀液在对晶圆刻蚀时的均匀，并且，对于晶圆的刻蚀能够克服刻蚀液不同深度液面处的刻蚀液的温度和浓度的不同给晶圆刻蚀均匀度带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 承托 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀承托装置，设置于晶圆的湿法刻蚀工艺中的升降装置上，其特征在于，包括晶圆滚动装置、传动装置和驱动装置；所述晶圆放置于所述晶圆滚动装置上，所述驱动装置通过所述传动装置驱动所述晶圆滚动装置带动所述晶圆转动；其中，所述晶圆滚动装置包括至少两根滚动杆，每根所述滚动杆上均设置有多个导向结构，所述晶圆可转动地置于所述导向结构中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
