[发明专利]一种硅刻蚀工艺无效
| 申请号： | 201310082106.6 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103165435A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李芳;刘文燕;黄耀东 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅刻蚀工艺，应用于一硅衬底上，所述硅衬底的上表面覆盖一层保护膜，包括如下步骤：旋涂光刻胶覆盖所述保护膜的上表面，经曝光、显影后去除多余的光刻胶，于所述保护膜的上表面形成具有刻蚀图形的光阻；以所述光阻为掩膜，刻蚀所述保护膜至所述硅衬底的上表面；继续离子注入工艺，于所述硅衬底中形成掺杂区；去除所述光阻后，以剩余的所述保护膜为掩膜刻蚀所述掺杂区，形成沟槽。本发明方法能够使在整个硅刻蚀工艺中的刻蚀效果能够得到更好的控制，且本发明方法的工艺相较传统硅刻蚀工艺中的干法刻蚀过程更为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅刻蚀工艺，应用于一硅衬底上，所述硅衬底的上表面覆盖有一层保护膜，其特征在于，包括以下步骤：旋涂光刻胶覆盖所述保护膜的上表面，曝光、显影后，去除多余的光刻胶，于所述保护膜的上表面形成具有刻蚀图形的光阻；以所述光阻为掩膜，刻蚀所述保护膜至所述硅衬底的上表面；继续离子注入工艺，于所述硅衬底中形成掺杂区；去除所述光阻后，以剩余的所述保护膜为掩膜刻蚀所述掺杂区，形成沟槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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