[发明专利]半导体装置的制作方法在审
| 申请号： | 201310083714.9 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN104051325A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郭泽绵;张硕哲 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，具体地讲是关于一种半导体装置的制作方法，所述方法包括：在一半导体基板上形成一绝缘层；在绝缘层中形成至少一个开口，以露出半导体基板，其中半导体基板在位于开口底部的表面区域形成一原生氧化层；在开口的侧壁形成一导电间隙壁；形成导电间隙壁之后，实施一蚀刻步骤，以除去位于开口底部之原生氧化层并露出半导体基板；以及在开口内填充一导电材料，以形成一导电栓塞。本发明可以用以解决实际技术中除掉接触窗底部的原生氧化层时，接触窗尺寸（或孔径）变大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制作方法，其特征在于：在一半导体基板上形成一绝缘层；在所述绝缘层中形成至少一个开口，以露出所述半导体基板，其中所述半导体基板在位于所述开口底部的表面区域具有一原生氧化层；在所述开口的侧壁形成一导电间隙壁；形成所述导电间隙壁之后，实施一蚀刻步骤，以除去位于所述开口底部的原生氧化层并露出所述半导体基板；并且在所述开口内填充一导电材料，以形成一导电栓塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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