[发明专利]垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201310084972.9 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103151391A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 黄如;吴春蕾;黄芊芊;王超;王佳鑫;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法。所述短栅隧穿场效应晶体管具有垂直沟道并且沟道区掺杂为缓变非均匀掺杂，沟道掺杂浓度沿垂直方向呈高斯分布并且靠近漏端处沟道掺杂浓度较高，靠近源端处沟道掺杂浓度较低；另外，在垂直沟道两侧具有双控制栅并且控制栅为L型短栅结构，在靠近漏端处沟道存在一个没有栅覆盖的区域，而在源区存在一个栅过覆盖区域。与现有的TFET相比，本发明所述短栅隧穿场效应晶体管，有效抑制了漏端电场对源端隧穿结处隧穿宽度的影响，弱化了输出隧穿电流对漏端电压的超e指数关系，显著改善了器件输出特性。同时，该隧穿场效应晶体管也有利于增大器件导通电流，获得更陡直的亚阈值斜率。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 均匀 掺杂 沟道 短栅隧穿 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管，包括源区、漏区、沟道区以及控制栅，其特征在于，具有垂直沟道并且沟道区掺杂为缓变非均匀掺杂，沟道掺杂浓度沿垂直方向呈高斯分布并且靠近漏端处沟道掺杂浓度较高，靠近源端处沟道掺杂浓度较低；另外，在垂直沟道两侧具有双控制栅并且控制栅为L型短栅结构，在靠近漏端处沟道存在一个没有栅覆盖的区域，而在源区存在一个栅过覆盖区域。
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