[发明专利]形成铜基导电结构在集成电路装置上的方法有效
| 申请号： | 201310085373.9 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103311178A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | S·X·林;何铭;张洵渊;L·赵 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本文揭示形成铜基导电结构在集成电路装置上的方法。在一实施例中，该方法包含下列步骤：在一绝缘材料层中形成一沟渠/导孔，在该绝缘材料层上面及该沟渠/导孔中形成一铜基种子层，对于该铜基种子层执行一加热工艺以增加位在贴近该沟渠/导孔的底部的该铜基种子层的数量，对于该铜基种子层执行一蚀刻工艺以及执行一无电铜沉积工艺以用一铜基材料填满该沟渠/导孔。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 导电 结构 集成电路 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种形成装置的方法，其包括下列步骤：在一绝缘材料层中形成一沟渠/导孔；在该沟渠/导孔中形成一铜基种子层在该绝缘材料层上面；对于该铜基种子层执行一加热工艺以增加位在贴近该沟渠/导孔的底部的该铜基种子层的数量；在执行该加热工艺后，对于该铜基种子层执行一蚀刻工艺；以及执行一无电沉积工艺以用一铜基材料填满该沟渠/导孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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