[发明专利]第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310085493.9 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103367572B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 斋藤义树;牛田泰久;青木真登 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了在薄GaN衬底上形成第III族氮化物化合物半导体层的过程中抑制应变松弛层中位错的发生的第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法。发光器件(100)包括支承衬底(10)、GaN衬底(20)、n型接触层(30)、应变松弛层(40)(n型InGaN层)、发光层(50)、p型覆层(60)以及p型接触层(70)。GaN衬底(20)具有在10nm至10μm的范围内的厚度。应变松弛层(40)(n型InGaN层)具有在大于0％至3％的范围内的In组成比率X。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 化合物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物化合物半导体发光器件，包括：GaN衬底；支承所述GaN衬底的支承衬底；发光层；在所述GaN衬底与所述发光层之间形成的第一导电半导体层；以及相对于所述发光层在与所述第一导电半导体层相反的侧面处形成的第二导电半导体层；其中所述GaN衬底具有在10nm至10μm的范围内的厚度，所述第一导电半导体层包含InGaN层；所述InGaN层包括n型InGaN层，并且所述n型InGaN层具有在从0.1％至2％的范围内的In组成比率X以使得辐射通量大于或等于总辐射通量的99％，当所述InGaN层中的In组成比率X为0.8％时所述总辐射通量为100％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社，未经丰田合成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310085493.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管
- 下一篇：太阳能电池及其制造方法
