[发明专利]一种IGBT短路集电极结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种IGBT短路集电极结构的制备方法，属于功率半导体器件。该方法为在所IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后，将N‑型衬底的背面减薄，并在N‑型衬底的背面淀积一层掩蔽层；依次刻蚀部分掩蔽层和N‑型衬底，并在N‑型衬底的背面形成凹槽；在掩蔽层上和凹槽内淀积薄膜层，薄膜层的材料为锗，锗的厚度大于所述凹槽的深度；刻蚀掉掩蔽层上的所述薄膜层，经平坦后，依次通过离子注入和高温退火，在掩蔽层上刻蚀孔，并淀积金属，然后形成集电极。本发明在器件特性上，可以降低IGBT的导通电压和关断时间，并优化其导通和关断的折中特性；在制备工艺上，可以在较低温度下完全激活杂质，从而易于工艺的控制。

主权项

一种IGBT短路集电极结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在IGBT结构的正面形成栅极结构和源极结构后，将N‑型衬底的背面减薄，并在所述N‑型衬底的背面淀积一层掩蔽层；依次刻蚀部分所述掩蔽层和所述N‑型衬底，并在所述N‑型衬底的背面形成凹槽；在所述掩蔽层上和所述凹槽内淀积薄膜层，所述薄膜层的材料为锗，所述薄膜层的厚度大于所述凹槽的深度；刻蚀掉所述掩蔽层上的所述薄膜层，经平坦后，依次通过离子注入和高温退火，所述高温退火的温度为300℃‑500℃；在所述掩蔽层上刻蚀孔，并淀积金属，然后形成集电极。