[发明专利]一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310086262.X | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103839978B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 喻巧群;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法，属于半导体功率器件制备技术领域。该终端结构的终端区域至少有一个沟槽，沟槽的两侧均有表面结，靠近有源区的一侧为n型注入结，远离有源区的一侧为p型注入结，沟槽内有填充物。本发明一方面可以在保证器件具有高的击穿电压的同时，缩小了终端保护区的面积，降低了芯片制造成本；另一方面能够降低寄生电荷的影响，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 沟槽 功率 器件 终端 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种中高压沟槽型功率器件的终端结构，其特征在于，在功率器件的终端区域至少有一个沟槽，所述沟槽的两侧均有表面结，靠近有源区的一侧为n型注入结，远离有源区的一侧为p型注入结，所述沟槽内有填充物。
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