[发明专利]用于制造含Ga的第III族氮化物半导体的方法有效
| 申请号： | 201310086320.9 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103367589A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 奥野浩司;小盐高英;柴田直树;天野浩 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种用于制造具有降低的穿透位错的含Ga的第III族氮化物半导体的方法。在衬底上形成包括AlGaN的处于多晶、非晶、或多晶/非晶混合状态的缓冲层。在比在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有缓冲层的衬底进行热处理，以使得缓冲层的晶核密度相比热处理之前的密度降低。在热处理之后，将衬底的温度降低至含Ga的第III族氮化物半导体生长的温度，维持该温度，并且在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 ga iii 氮化物 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底上生长第III族氮化物半导体的方法，所述衬底包括不同于所述第III族氮化物半导体的材料，所述方法包括：在所述衬底上形成处于多晶、非晶、或多晶与非晶混合状态的缓冲层，所述缓冲层包含AlN或AlxGa1‑xN(0＜x＜1)；在比在所述缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在所述含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有所述缓冲层的所述衬底进行热处理，以使所述缓冲层的晶核密度相比所述热处理之前的密度降低；在所述热处理之后，将所述衬底的温度降低至所述含Ga的第III族氮化物半导体的单晶生长的温度，并且保持所述温度；以及通过MOCVD法在所述缓冲层上生长所述含Ga的第III族氮化物半导体。
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