[发明专利]一种核聚变材料辐照内部损伤的检测方法有效

专利信息
申请号: 201310086459.3 申请日: 2013-03-18
公开(公告)号: CN103207287A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 刘东平;杨德明;范红玉 申请(专利权)人: 大连民族学院
主分类号: G01Q60/24 分类号: G01Q60/24
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 赵淑梅;李馨
地址: 116600 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种利用导电式原子力显微镜对核聚变中具有导电性或辐照后能够导电的材料辐照后内部损伤进行测试的方法,属于材料科学技术领域。本方法采用导电模块与原子力显微镜相结合,利用能够发射和接收电子的导电针尖,对半导体材料,导体材料和辐照后导电的材料进行分析,从而理解辐照导致材料损伤的机理。利用导电式原子力显微镜具有独特的优势:精度高,可以直接反应样品表面的纳米结构和导电性,可以测试纳米突起的导电性,可以应用于半导体材料,能够分析材料内部缺陷机制,为核聚变材料辐照损伤提供了更有效的研究手段。
搜索关键词: 一种 聚变 材料 辐照 内部 损伤 检测 方法
【主权项】:
一种核聚变材料辐照内部损伤的检测方法,其特征在于:所述方法利用导电式原子力显微镜,包括下述工艺步骤:①导电式原子力显微镜安装导电针尖,并在导电针尖与导电样品台之间设置驱动电路;②将待测材料置于导电针尖与导电样品台之间;③获取待测材料的形貌图像和电流图像;④对待测材料进行辐照处理并获取辐照后待测材料的形貌图像和电流图像;⑤对比辐照前和辐照后待测材料的电流图像,确定其内部损伤;其中,所述待测材料为导体、半导体材料或经辐照后导电的绝缘材料。
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