[发明专利]一种发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310088278.4 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103151448A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 闭伟焕;赵文强;李绍荣;于军胜;马云辉 | 申请（专利权）人： | 中山达华智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管器件结构包括底座、发光二极管芯片和发光二极管芯片上的发光层，发光层上表面有金属纳米材料包覆层。由于金属纳米结构较大的比表面积，因而具有优良的导热性能，将金属纳米材料包覆在发光层上表面，可以有效传导发光二极管芯片产生的热量，防止发光二极管芯片高温老化，延长发光二极管的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括底座(1)，底座(1)上安装有发光二极管芯片(2)，发光二极管芯片(2)上具有发光层(3)，其特征在于：所述发光层(3)上表面设置有金属纳米材料包覆层(4)，底座(1)上还设置有将发光二极管芯片(2)、发光层(3)和金属纳米材料包覆层(4)包裹的外封装胶(5)。
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