[发明专利]氧化铝基微波介质陶瓷及其制备方法

摘要

本发明提供一种氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式（I）；R包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种。其制备方法为将α‑Al2O3、第一添加剂和第二添加剂，进行球磨，烘干得到粉体；将所述粉体造粒，干压成型，得到压片；将所述压片在1450～1550℃烧结，得到氧化铝基微波介质陶瓷。本发明降低了烧结温度，降低能耗，提高了陶瓷的致密性，拓宽了生产和使用工艺条件。结果表明，所述氧化铝基微波介质陶瓷介电常数ε为9.4～9.9，瓷体密度＞3.8g/cm3，热膨胀系数为8～8.3ppm/℃。

主权项

一种氧化铝基微波介质陶瓷，其化学组成的表达式为式(I)：xα‑Al2O3‑(1‑x)R  (I)；其中，x为0.965～0.99；R为改性添加剂，包括第一添加剂和第二添加剂，所述第一添加剂为MgO、CaCO3和SiO2，所述第二添加剂为K2O、Na2O、ZnO、Y2O3和B2O3中的一种或多种；MgO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.2mol％～1.5mol％；CaCO3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.03mol％～1mol％；K2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol％～0.5mol％；Na2O的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol％～0.6mol％；ZnO的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol％～0.6mol％；Y2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol％～0.4mol％；SiO2的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0.3mol％～1.8mol％；B2O3的含量为氧化铝基微波介质陶瓷的0mol％～0.5mol％。