[发明专利]形成多晶硅薄膜的方法以及形成薄膜晶体管的方法无效
| 申请号： | 201310088765.0 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103489783A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 黄显雄;王文俊;张恒毅;刘锦璋 | 申请（专利权）人： | 胜华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成多晶硅薄膜的方法以及一种形成薄膜晶体管的方法。形成多晶硅薄膜的方法包括下列步骤。首先，提供一基底。然后，进行一加热处理。接着，进行一硅薄膜沉积工艺，用以直接在基底的上表面上形成一多晶硅薄膜。形成薄膜晶体管的方法包括下列步骤。首先，提供基底。然后，进行加热处理。接着，进行硅薄膜沉积工艺，用以直接在基底的上表面上形成多晶硅薄膜。然后，对多晶硅薄膜进行一第一图案化工艺，用以形成一半导体图案。之后，形成一栅极电极、一栅极介电层、一源极电极以及一漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 薄膜 方法 以及 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种形成多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一上表面；进行一加热处理；以及进行一硅薄膜沉积工艺，用以直接在该基底的该上表面上形成一多晶硅薄膜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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