[发明专利]适用于IGBT薄型硅片的背面杂质激活方法有效
| 申请号： | 201310090771.X | 申请日： | 2013-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104064460B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郑刚;施向东 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于IGBT薄型硅片的背面杂质激活方法，步骤包括1）将IGBT薄型硅片传送入快速灯退火腔室，并使硅片背面注入掺杂区朝向加热灯的照射面；2）调整加热灯阵列控制程式，使加热灯只能单向照射硅片背面；3）设置加热灯输出功率，并开启加热灯，使硅片背面迅速升温；4）当硅片温度达到设定的退火温度后，关闭加热灯，保温1～2秒，然后急速冷却硅片。本发明利用单向灯阵列加热退火方式，在不影响IGBT薄型硅片正面铝线以及不增加设备投资的基础上，提高了IGBT薄型硅片背面杂质的激活率。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 igbt 硅片 背面 杂质 激活 方法 | ||
【主权项】：
适用于IGBT薄型硅片的背面杂质激活方法，其特征在于，步骤包括：1)将IGBT薄型硅片传送入快速灯退火腔室，并使硅片背面注入掺杂区朝向加热灯的照射面；2)调整加热灯阵列控制程式，使加热灯只能单向照射硅片背面；3)设置加热灯的输出功率，然后开启加热灯，使硅片背面迅速升温；4)当硅片温度达到设定的退火温度后，关闭加热灯，保温1～2秒，然后急速冷却硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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